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BSC057N03LSGATMA1  与  BSC057N03MS G  区别

型号 BSC057N03LSGATMA1 BSC057N03MS G
唯样编号 A-BSC057N03LSGATMA1 A-BSC057N03MS G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 17A/71A TDSON
数据表
RoHs 不符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),45W(Tc) -
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 5.7mΩ
上升时间 - 6.6ns
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 2400pF @ 15V -
栅极电压Vgs - 16V
封装/外壳 8-PowerTDFN -
不同Vgs时栅极电荷 (Qg)(最大值) 30nC @ 10V -
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id - 15A
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
长度 - 5.9mm
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 5.7 毫欧 @ 30A,10V -
Vgs(最大值) ±20V -
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V -
下降时间 - 6.8ns
高度 - 1.27mm
技术 MOSFET(金属氧化物) -
漏源极电压Vds - 30V
Pd-功率耗散(Max) - 2.5W
典型关闭延迟时间 - 14ns
FET类型 N 通道 N-Channel
不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250uA -
通道数量 - 1Channel
系列 - OptiMOS3
25°C时电流-连续漏极(Id) 17A(Ta),71A(Tc) -
漏源电压(Vdss) 30V -
典型接通延迟时间 - 12ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
BSC057N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC057N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 当前型号
BSC057N03MSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC057N03MS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC057N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC057N03MSGATMA1_30V 15A 5.7mΩ 16V 2.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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